Mô phỏng transistor một điện tử trong mô hình nhiểu mức sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng

Các tác giả

  • Huỳnh Hoàng Trung Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM, Việt Nam
  • Lê Hoàng Minh Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM, Việt Nam
  • Đinh Sỹ Hiền Trường Đại học Khoa học Tự nhiên- ĐHQG TP.HCM

Email tác giả liên hệ:

trunghh@hcmute.edu.vn

Từ khóa:

transistor, hàm Green không cân bằng

Tóm tắt

Transistor một điện tử (SET) là một yếu tố quan trọng trong lĩnh vực nghiên cứu của chúng tôi, hoạt động của linh kiện dựa trên sự vận chuyển từng điện tử một qua kênh dẫn sử dụng hiệu ứng khóa Coulomb. Trong bài bào này, chúng tôi cung cấp một cái nhìn tổng quan về những phát triển trong nghiên cứu của SET. Chúng tôi sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng (NEGF) để tính toán hàm truyền, dao động Coulomb và những đặc trưng dòng-thế của SET. Chương trình mô phỏng được viết nhờ giao diện đồ họa người sử dụng (GUI) trong MatLab. Những ảnh hưởng của điện dung, thiên áp và nhiệt độ lên những đặc trưng dòng-thế của SET cũng được trình bày.

Tải xuống: 0

Dữ liệu tải xuống chưa có sẵn.

Tài liệu tham khảo

K. Uchida, R. Matsuzawa, J. Koga, R. Ohba, S. Takagi and A. Toriumi, Jpn. J. Appl.Phys. 3, 4B, p. 2321-2324 (2000).

S. Mahapatra, A. M. Ionescu and K.Banerjee, IEEE Electron Device Lett., 23,p.366-368 (2002).

C. Wasshuber, Computational Electronics, Springer-Verlag, New York, 2002.

R. H. Chen, A. N. Karotkov, and K. K.Likharev, Proceedings of Device Res. Conf.1995, p. 44-45.

Y. S. Yu et al., Proceedings of Asia Pacific Workshop: Fundamental Application Advanced Semiconductor Device, 2000, p.85-90.

K. K. Likharev, SETTRAN – “A simulator for single lectron transistor.” Available: http://hana.physics.sunysb.edu/set/software.

S. Datta, Quantum Transport: Atom to Transistor, Cambridge University Press, 2005.

Benjamin Pruvost, Hiroshi Mizuta, and Shunri Oda, “Voltage – Limitation - Free Compact SET Model Incorporating the Effects of Spin- Degenerate Discrete Energy States”. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, pp. 51 – 52, 2007.

S. Mahapatra, V. Vaish, C. Wasshuber, K.Banerjee, and A. M. Ionescu, IEEE Trans. on Electron Devices, 51, 11, p. 1772-1782 (2004).

B. Pruvost, H. Mizuta, and S. Oda, IEEE Trans. on Nanotechnology, 6, 2, p. 218-224 (2007).

Tải xuống

Đã Xuất bản

2012-06-28

Cách trích dẫn

[1]
Huỳnh Hoàng Trung, Lê Hoàng Minh, và Đinh Sỹ Hiền, “Mô phỏng transistor một điện tử trong mô hình nhiểu mức sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng”, JTE, vol 7, số p.h 2, tr 22–28, tháng 6 2012.

Số

Chuyên mục

Bài báo khoa học

Categories