Mạch khuyếch đại mức nhiễu thấp tần số 433MHz

Các tác giả

  • Văn Kiên Nguyễn Trung tâm nghiên cứu và đào tạo thiết kế vi mạch - ICDREC
  • Duy Đoàn Trung tâm nghiên cứu và đào tạo thiết kế vi mạch - ICDREC

Email tác giả liên hệ:

tapchikhgkdt@hcmute.edu.vn

Từ khóa:

mạch khuếch đại mức nhiễu thấp (LNA), sở hữu trí tuệ (IP), IIP3, NF (hệ số nhiễu), điểm chắn bậc ba ngõ

Tóm tắt

Một thiết kế mạch khuếch đại mức nhiễu thấp (LNA) ở tần số 433MHz với công nghệ thiết kế  0.13μm RFCMOS của GLOBALFOUNDRIES sẽ được trình bày trong bài báo này. Mạch LNA  được thiết kế với hệ số nhiễu NF là 1,905dB, hệ số khuếch đại 15,5dB, thông số ổn định 331, công  suất tiêu thụ 13,66mW, điểm chắn bậc ba ngõ vào IIP3 là -4,9dBm và diện tích lõi IP là 806µm x 506µm. Hơn nữa, mạch LNA được phối hợp trở kháng ở ngõ vào và ngõ ra 50Ohm với thông số phản xạ ngõ vào là -13,72dB và thông số phản xạ ngõ ra là -25,65dB.

Tải xuống: 0

Dữ liệu tải xuống chưa có sẵn.

Tài liệu tham khảo

Thomas H. Lee, “The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits”, 2nd Edition, Cambridge University Press, USA, 2004.

Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, McGraw Hill Companies, 2001.

Maxim, Datasheet of VHF-to-Microwave, +3V, General-Purpose Amplifiers, Rev 2, Aug. 2003.

P. E. Allen, D. R. Holberg, CMOS Analog Circuit Design, Oxford University Press, p. 125, 2002.

Derek K. Shaeffer, Thomas H. Lee “A 1.5-V, 1.5-GHz CMOS Low Noise Amplifier” IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 32, NO. 5, MAY 1997.

Jarkko Jussila, Pete Sivonen, “A 1.2-V Highly Linear Balanced Noise-Cancelling LNA in 0.13-m CMOS” IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 43, NO. 3, MARCH 2008.

Tải xuống

Đã Xuất bản

2013-12-26

Cách trích dẫn

[1]
. V. K. Nguyễn và D. Đoàn, “Mạch khuyếch đại mức nhiễu thấp tần số 433MHz”, JTE, vol 8, số p.h 3, tr 17–21, tháng 12 2013.

Số

Chuyên mục

Bài báo khoa học

Categories

Các bài báo được đọc nhiều nhất của cùng tác giả