Nghiên cứu cấu trúc diode phát xạ tử ngoại 312nm
Email tác giả liên hệ:
trunghh@hcmute.edu.vnTừ khóa:
tia tử ngoại, LED, AlGaN, đa giếng lượng tử, khử trùngTóm tắt
Cấu trúc LED phát xạ tử ngoại với ba giếng lượng tử iAlyGa1-yN barrier - iAl0,20Ga0,80N well - iAlyGa1-yN barrier với nồng độ pha tạp Mg trong lớp iAlyGa1-yN barrier khác nhau được nghiên cứu dựa vào phần mềm SiLENSe chuyên dụng. Hiệu suất phát xạ IQE của cấu trúc UV- LED được tìm thấy ổn định với nồng độ pha tạp [Mg] = 5×1018cm-3. Cấu trúc UVLED này có đỉnh phổ phát xạ dao động khoảng 312nm được ứng dụng trong khử trùng. Thành phần Al trong lớp AlyGa1-yN barrier được khảo sát với y = 0,45(45%) và y = 0,55 (55%), UVLED cho bước sóng phát xạ được dự đoán giảm và dưới 314nm, điều đó phù hợp với những công bố gần đây.
Tải xuống: 0
Tài liệu tham khảo
M.A. Khan et al., “III-Nitride UV Devices”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 44, no. 10, 2005, pp. 7191-7206.
W.H. Sun et al., “Continuous Wave Milliwatt Power AlGaN Light Emitting Diodes at 280 nm”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 11A, 2004, pp. L1419-L1421.
C.G. Moe et al., “Milliwatt Power Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes Grown on Silicon Carbide”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 44, no. 17, 2005, pp. L502-L504.
Nguyen Van Hieu and Vu The Dang, “A study of lamp with 365nm radiation UVLED for the sterilization of bacteria”, Journal of Technical Education Science, Univ. of Technical Education HCMC, Vietnam, ISSN 1859-1272, vol. 18, 2011, pp. 46-52.
S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, “Candela-Class HighBrightness InGaN/AlGaN Double-Heterostructure Blue Light-Emitting Diodes”, Appl. Phys. Lett., vol. 64, no. 13, 1994, pp. 1687-1689.
S. J. Lee, S. H. Han, D. Y. Noh, H. W. Shim, S. J. Park, Improvement of GaN-based LEDs using p-type AlGaN/GaN superlattices with a graded Al composition, J. Phys. D. Appl. Phys. 44 (2011) 105101.
M. Takeuchi, H. Shimiza and Y. Aoyagi et al., J. Crystal Growth 305 (2007) 360.
Tải xuống
Đã Xuất bản
Cách trích dẫn
Giấy phép
Tác phẩm này được cấp phép theo Giấy phép quốc tế Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 .
Bản quyền thuộc về JTE.
