GZO transparent conductive oxide thin films fabricating by DC magnetron sputtering
Corressponding author's email:
tapchikhgkdt@hcmute.edu.vnKeywords:
Màng dẫn điện trong suốt GZO, TCO, phún xạAbstract
Ga-doped ZnO (GZO) films were prepared on glass substrates from GZO target by DC magnetron sputtering at room temperature. The effect of target – substrates distance, sputtering time, and sputtering power on optical and electrical properties of the films was investigated. The results show that GZO films have high crystallinitywith (002) peak orientation, the lowest electrical resistivity of ~ 10-4 Ωcm, average transparency of T > 80% in the visible light region.
Downloads: 0
References
. Hsu C.Y, Ko T.F and Huang Y.M. J. Eur. Ceram.Soc 28(2008) 3065-3070.
. Lennon C, Tabia R.B, Kodama R, Chang Y, SivananthanS, Deshpande M. J.Electron Mater 38(2009) 1568-1573.
. Fang G.J, Li D.J, Yao B.L. Phys.Stat.Sol.A 193(2002) 139.
. Hao X.T, Tan L.W, Ong K.S, and Zhu F. J. Cryst. Growth 287 (2006) 44.
. Dawar A.L, and Joshi J.C. J.Mater. Sci 19 (1984) 1.
. Wang H, Xu J.W, Ren M.F, and Yang L. J.Mater. Sci. Mater. Electron 19 (2008) 1135.
. Liu Y.D, Li Q, and Shao H.L. Vacuum 83 (2009) 1435.
. Lu J.G, Kawaharamura T, Nishinaka H, Kamada Y, Ohshima T, and Fujita S. J. Appl. Phys 101 (2007) 083705.
. Lee K.E, Wang M.S, Kim E.J, and Hahn S.H. Appl. Phys 9 (2009) 683
. Chakraborty A, Mondal T, Bera S.K, Sen S.K, Ghosh R, and Paul G.K. Mater. Chem. Phys 112 (2008) 162.
. Gabas M, Barentt N.T, Ramos J.R, Gota S, Rojas T.C, and López-Escalante M.C. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93 (2009)1356.
. Cao Thị Mỹ Dung, Trần Cao Vinh, Nguyễn Hữu Chí, Ảnh hưởng của sự pha tạp Ga lên tính chất điện của màng ZnO tạo bằng phương pháp phún xạ, Đại học Khoa học tự nhiên TP HCM, Tạp Chí Phát Triển Khoa Học Và Công Nghệ Tập 10, số 8-2007.
. Cao Thị Mỹ Dung, Chế tạo màng dẫn điện trong suốt ZnO:Ga bằng phương pháp phún xạ magnetron, Luận văn thạc sĩ vật lí, 2006.
. Min-Chul Jun, Sang-Uk Park and Jung-Hyuk Koh – Jun et al. ,” Comparative studies of Al-doped ZnO and Ga-doped ZnO transparent conducting oxide thin films, Nanoscale Research Letters, 2012, 7639.
. W. C. Song, S. I. Kwon, G. S. Kang, K. J. Yang and D. G. Lim, ”Characteristics of GZO films repared by using a rf magnetron plasma at low temperature”, Journal of the Korean Physical Society, Vol. 53, No. 5, November 2008.
Downloads
Published
How to Cite
License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Copyright © JTE.
