Nghiên cứu chế tạo màng oxít dẫn điện trong suốt GZO bằng phương pháp phún xạ magnetron DC
Email tác giả liên hệ:
tapchikhgkdt@hcmute.edu.vnTừ khóa:
Màng dẫn điện trong suốt GZO, TCO, phún xạTóm tắt
Màng ZnO pha tạp Ga 5% at (GZO) trên đế thủy tinh được chế tạo bằng phương pháp phún xạ magnetron DC từ bia gốm GZO ở nhiệt độ phòng. Công trình đã khảo sát ảnh hưởng của khoảng cách bia đế, thời gian phún xạ và công suất phún xạ đến tính chất quang điện của màng GZO. Kết quả cho thấy màng GZO trên đế thủy tinh có cấu trúc tinh thể tốt và phát triển ưu tiên theo mặt mạng (002), điện trở suất thấp bậc 10-4Ωcm, độ truyền qua trung bình trong vùng ánh sáng khả kiến trên 80%
Tải xuống: 0
Tài liệu tham khảo
. Hsu C.Y, Ko T.F and Huang Y.M. J. Eur. Ceram.Soc 28(2008) 3065-3070.
. Lennon C, Tabia R.B, Kodama R, Chang Y, SivananthanS, Deshpande M. J.Electron Mater 38(2009) 1568-1573.
. Fang G.J, Li D.J, Yao B.L. Phys.Stat.Sol.A 193(2002) 139.
. Hao X.T, Tan L.W, Ong K.S, and Zhu F. J. Cryst. Growth 287 (2006) 44.
. Dawar A.L, and Joshi J.C. J.Mater. Sci 19 (1984) 1.
. Wang H, Xu J.W, Ren M.F, and Yang L. J.Mater. Sci. Mater. Electron 19 (2008) 1135.
. Liu Y.D, Li Q, and Shao H.L. Vacuum 83 (2009) 1435.
. Lu J.G, Kawaharamura T, Nishinaka H, Kamada Y, Ohshima T, and Fujita S. J. Appl. Phys 101 (2007) 083705.
. Lee K.E, Wang M.S, Kim E.J, and Hahn S.H. Appl. Phys 9 (2009) 683
. Chakraborty A, Mondal T, Bera S.K, Sen S.K, Ghosh R, and Paul G.K. Mater. Chem. Phys 112 (2008) 162.
. Gabas M, Barentt N.T, Ramos J.R, Gota S, Rojas T.C, and López-Escalante M.C. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93 (2009)1356.
. Cao Thị Mỹ Dung, Trần Cao Vinh, Nguyễn Hữu Chí, Ảnh hưởng của sự pha tạp Ga lên tính chất điện của màng ZnO tạo bằng phương pháp phún xạ, Đại học Khoa học tự nhiên TP HCM, Tạp Chí Phát Triển Khoa Học Và Công Nghệ Tập 10, số 8-2007.
. Cao Thị Mỹ Dung, Chế tạo màng dẫn điện trong suốt ZnO:Ga bằng phương pháp phún xạ magnetron, Luận văn thạc sĩ vật lí, 2006.
. Min-Chul Jun, Sang-Uk Park and Jung-Hyuk Koh – Jun et al. ,” Comparative studies of Al-doped ZnO and Ga-doped ZnO transparent conducting oxide thin films, Nanoscale Research Letters, 2012, 7639.
. W. C. Song, S. I. Kwon, G. S. Kang, K. J. Yang and D. G. Lim, ”Characteristics of GZO films repared by using a rf magnetron plasma at low temperature”, Journal of the Korean Physical Society, Vol. 53, No. 5, November 2008.
Tải xuống
Đã Xuất bản
Cách trích dẫn
Giấy phép
Tác phẩm này được cấp phép theo Giấy phép quốc tế Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 .
Bản quyền thuộc về JTE.
