Các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu quả bảo vệ chống sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp
Email tác giả liên hệ:
tapchikhgkdt@hcmute.edu.vnTừ khóa:
các yếu tố ảnh hưởng, hiệu quả bảo vệ chống sét, lan truyền, nguồn hạ ápTóm tắt
Bài báo này dựa trên mô hình nguồn phát xung sét, mô hình biến trở oxide kim loại (MOV), mô hình khe hở phóng điện không khí (SG), mô hình khe hở phóng điện tự kích (TSG) và thông số điện áp thông qua để mô phỏng, so sánh, đánh giá và rút ra các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu bảo vệ chống sét trên đường nguồn hạ áp. Thông qua kết quả mô phỏng, bài báo đề xuất phương án bảo vệ tốt nhất cho từng trường hợp cụ thể.
Tải xuống: 0
Tài liệu tham khảo
C. Basso, ”Spark Gap Modeling,” Intusof Newsletter, September 1997.
Mai Thanh Sơn, So sánh hiệu quả bảo vệ quá điện áp hai tầng và ba tầng trên đường nguồn hạ áp. Luận văn thạc sĩ – 2009.
Nguyễn Hoàng Minh Vũ, Lập mô hình mô phỏng các phần tử phi tuyến 68 của thiết bị chống sét hiện đại trên đường cấp nguồn hạ áp và đường tín hiệu. Luận văn thạc sĩ – 2003.
Quyền Huy Ánh – Khe phóng điện tự kích – TSG (Trigger Spark Gap) – Tập san Sư Phạm Kỹ Thuật số 13.
Quyền Huy Ánh – Mô hình thiết bị chống sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp – Tạp chí khoa học và công nghệ ― 2003.
Trần Tùng Giang, Xây dựng mô hình máy phát xung hổn hợp và biến trở phi tuyến hạ áp. Luận văn thạc sĩ – 2003.
Tải xuống
Đã Xuất bản
Cách trích dẫn
Giấy phép
Tác phẩm này được cấp phép theo Giấy phép quốc tế Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 .
Bản quyền thuộc về JTE.
