Nghiên cứu số lượng và độ dày của ingan/algan đa giếng lượng tử cho điốt phát xạ cực tím 365nm - 385nm
Email tác giả liên hệ:
trunghh@hcmute.edu.vnTừ khóa:
InGaN, AlGaN, LED cực tím, đa giếng lượng tử, bước sóngTóm tắt
Trong bài báo này, tác giả trình bày nghiên cứu về số lớp và độ dày của InGaN/AlGaN đa giếng lượng tử (MQW) cho điốt phát xạ cực tím với bước sóng phát xạ từ 365nm đến 385nm, nghiên cứu được thực hiện dựa trên phần mềm SiLENSe và các phương trình vận chuyển trôi-khuếch tán của nồng độ điện tử và lỗ trống. Vùng hoạt động đa giếng lượng tử MQW trong UV LED dị cấu trúc gồm có những lớp i-In0.05Ga0.95N giếng và những lớp i-Al0.22Ga0.78N rào cản. Độ dày của mỗi lớp i-In0.05Ga0.95N giếng hoặc lớp i-Al0.22Ga0.78N rào cản của giếng lượng tử (QW) được tăng từ 1.0nm đến 5.0nm. Dựa trên những phổ phát xạ của UV LED, tác giả nhận thấy rằng bước sóng phát xạ thay đổi từ 364nm (5 lớp MQW với d = 2.0nm) đến 413nm (4 lớp MQW với d =5.0nm). Đỉnh phổ phát xạ của cấu trúc UV LED với 5 cặp InGaN/AlGaN của vùng hoạt động MQW là 377.5nm. Những kết quả nghiên cứu đạt được phù hợp tốt với những kết quả thực nghiệm công bố gần đây.
Tải xuống: 0
Tài liệu tham khảo
M.A. Khan et al., III-Nitride UV devices, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 44, no. 10 (2005), 7191-7206.
W.H. Sun et al., Continuous wave milliwatt power AlGaN light emitting diodes at 280nm, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 11A (2004), L1419-L1421.
C.G. Moe et al., Milliwatt power deep ultraviolet light emitting diodes grown on silicon carbide, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 44, no. 17 (2005), L502-L504.
R. Gaska and J. Zhang, Deep-UV LEDs: physics, performance, and applications, Proc. SPIE, vol. 6037 (2005), 603706 1-13.
T. Mukai, D. Morita, S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., 37 (1998), L1358.
S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Candela class high brightness InGaN/AlGaN double heterostructure blue-light emitting-diodes, Appl. Phys. Lett., vol. 64, no. 13 (1994), 1687-1689.
T. Mukai, D. Morita, S. Nakamura, J. Crystal Growth, 189/190 (1998), 778.
Adivarahanet al.,High-efficiency 269 nmemission deep ultraviolet light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 84, 4762 (2004).
Taniyasu et al.,An aluminium nitride lightemitting diode with a wavelength of 210nanometres, Nature, 444, 325(2006).
Hirayama et al.,Efficient 230-280nm Emission fromhigh-Al-ContentAlGaN-BasedMulti-Quantum Wells, Appl. Phys. Lett.80, 37 (2002).
Hirayama et al.,Markedenhancement of 320-360 nm UV emission in quaternary InxAlyGa1-x-yN with In-segregation effect, Appl. Phys.Lett. 80, 207 (2002).
Hirayama et al., Room-Temperature Intense 320nm-BandUV Emission from Quaternary InAlGaN-Based Multi-Quantum Wells,Appl. Phys. Lett. 80, 1589 (2002).
Hirayama et al., High-efficiency 352 nm quaternaryInAlGaN-basedultraviolet light emitting diodes grown on GaN substrates, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L1241-L1243(2004).
V. Hieu and V. T. Dang, The study of lamp with 365nm radiation UVLED for the sterilization of bacteria, J. of Technical Education Science 18 (2011), 46-52.
L. V. Men and N. V. Hieu, The equipment with ultravioled radiation to measure ozone concentration, Proc. 9th Sc. conference in VNU - Ho Chi Minh City University of Science, 2014.
Sung-Bum Bae et al., 380-nm Ultraviolet Light-Emitting Diodes with InGaN/AlGaN MQW structure, ETRI Journal, vol. 35, no. 4 (2013), 566-570.
S. J. Lee et al., Improvement of GaN based LEDs using p-type AlGaN/GaN superlattices with a graded Al composition, J. Phys. D: Appl. Phys. 44 (2011), 105101.
Siozade, Modelling of thermally detected optical absorption and luminescence of InGaN/GaN hetero-structures, Solid State Communications, 115(11) (2000).
Yun, et al., Energy band bowing parameter in AlxGa1-xN alloys, J. App. Phys., 92(8) (2002), 4837-4839.
Wu, et al., Universal bandgap bowing in group-III nitride alloys, Solid State Communications, 127(6) (2003), 411-414.
Tải xuống
Đã Xuất bản
Cách trích dẫn
Giấy phép
Tác phẩm này được cấp phép theo Giấy phép quốc tế Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 .
Bản quyền thuộc về JTE.
