Khảo sát ảnh hưởng của kích thước ống nano carbon lên đặc trưng của transistor ống nano carbon đồng trục
Email tác giả liên hệ:
luongnt@hcmute.edu.vnTừ khóa:
CNTFET, NEGF, transistor, ống nano carbonTóm tắt
Đặc trưng I-V của transistor trường ống nano carbon đồng trục (CNTFET) phụ thuộc vào nhiều thông số khác nhau như: kim loại dùng làm điện cực nguồn-máng, vật liệu và bề dày lớp oxit điện môi, kích thước ống nano carbon, nhiệt độ làm việc,… Trong bài viết này tác giả dùng phương pháp hàm Green không cân bằng (NEGF) kết hợp với Matlab để mô phỏng và khảo sát những tác động của đường kính và chiều dài ống nano carbon lên họ đặc trưng I-V của CNTFET đồng trục.
Tải xuống: 0
Tài liệu tham khảo
Javey, H. Kim, M. Brink, Q. Wang, A. Ural, J. Guo, P. McIntyre, P. McEuen, M. Lundstrom, and H. J. Dai, "High-K Dielectrics for Advanced Carbon Nanotube Transistors and Logic Gates," Nature Materials, vol. 1 (2002).
Đinh Sỹ Hiền, Điện tử Nano: Linh kiện và công nghệ, NXB ĐHQG Tp. Hồ Chí Minh, (2005)
Jing Guo, "Carbon Nanotube: Modeling. Physics and Applications," PhD. Thesis, Purdue University, (2004).
Jing Guo, Muhammad A. Alam Role of Phonon Scattering in Carbon Nanotube Field- Effect Transistors, Physics Letters, vol 87, (2005).
Leonardo de Camargo e Castro, "Modeling of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors," PhD Thesis, The University of British Columbia (2006).
Siyuranga O. Koswatta, "Nonequilibrium Green's Function Treatment of Phonon Scattering in Transistors," IEEE Carbon Nanotube Transactions on Electron Devices, Vol. 54. No.9. September, (2007).
Supriyo Datta, Quantum Transport: Atom to Transistor, Cambridge, UK: Cambridge Univ. Press (2005).
T. Brintlinger, B.M. Kim, E. Cobas, and M. S. Fuhrer, Gate-Field-Induced Schottky Barrier Lowering in a Nanotube Field Effect Transistor, University of Maryland, College Park, MD 20742-4111, USA (2005).
Tải xuống
Đã Xuất bản
Cách trích dẫn
Giấy phép
Bản quyền (c) 2021 Tạp chí Khoa học Giáo dục Kỹ Thuật - ĐH SPKT TP.HCM
Tác phẩm này được cấp phép theo Giấy phép quốc tế Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 .
Bản quyền thuộc về JTE.
